三星电子和SK海力士分别与美国芯片巨头英伟达和英特尔合作，加剧了在低功耗服务器内存领域的竞争 。两家公司同时发布了各自的成果：SK海力士推出了新型高容量、高性能的通用动态随机存取存储器(DRAM)产品 ，而三星则推出了新一代内存模块 。
人工智能的兴起带动了内存需求的激增 ，高带宽内存(HBM)和传统服务器DRAM的价格也随之水涨船高，导致三星和SK海力士之间的竞争日益激烈 ，两家公司都在争夺DRAM市场的霸主地位。
SK海力士的新型RDIMM内存SK海力士周四宣布 ，其基于32Gb第五代10纳米级(1b)DRAM的256GB DDR5寄存式双列直插内存模块(RDIMM)已通过英特尔的兼容性和性能验证 。RDIMM是一种内存模块，旨在确保即使安装多个DRAM芯片也能保持系统稳定 。高容量产品主要用于企业数据中心。
“这款产品是目前市面上基于1B 32Gb DRAM的最高容量RDIMM ，也是首款通过英特尔认证的同规格RDIMM 。”SK海力士表示 。
尽管英特尔在GPU领域已落后于英伟达 ，但它仍然占据着数据中心CPU市场70%以上的份额。SK海力士的RDIMM现已获得认证，可立即应用于基于英特尔最新Xeon 6 CPU的服务器。一旦英特尔验证了内存产品的性能和兼容性，戴尔 、惠普和超微等服务器制造商通常会批量采购用于服务器生产 。
SK海力士推出的新型RDIMM内存采用硅通孔技术制造 ，该技术是HBM的核心技术 。通过将32Gb DRAM芯片堆叠成3D结构 ，并通过微型垂直通道连接，SK海力士实现了业界领先的256GB容量。
SK海力士的开发人员表示：“与现有产品相比 ，使用该产品的服务器可实现16%的AI推理性能提升 ，同时功耗降低18% 。 ”
三星电子的Socamm2内存模块与此同时，三星电子周四宣布 ，已完成一款针对AI数据中心优化的内存产品——小型压缩附加内存模块(Socamm2)的开发 ，并已向英伟达提供了样品 。
Socamm2是一款服务器内存模块，由堆叠的低功耗双倍数据速率DRAM构成。与常用的RDIMM相比 ，Socamm2尺寸更小 ，带宽提升超过一倍，功耗降低55% ，非常适合高性能AI计算 。与封装在GPU中的HBM不同 ，Socamm2是一个可拆卸模块，这使得制造过程更加简便，并提供了更大的设计灵活性 。
由于国际标准化和平台兼容性问题尚未解决 ，Socamm2尚未实现商业化。据报道 ，英伟达计划将Socamm2应用于其下一代人工智能平台Vera Rubin，该平台预计将于明年下半年发布 。
三星电子表示：“我们正与全球主要合作伙伴携手 ，引领Socamm2国际标准的制定 。 ”
英伟达高性能计算和人工智能基础设施解决方案高级总监Dion Harris表示：“通过与三星电子的持续合作 ，我们不断优化Socamm2等下一代内存。”
三大内存芯片制造商都在竞相向英伟达供应Socamm2 。今年10月，全球第三大内存芯片制造商 、总部位于美国的Micron公司正式宣布已向英伟达提供了Socamm2样品 。同一天 ，三星电子和SK海力士在韩国举办的半导体展览会上发布了各自Socamm2的实物样品和规格。
